三極管晶體三極管（以下簡稱三極管）按資料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種構造方式，但運用最多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管，其間，N表明在高純度硅中參加磷，是指替代一些硅原子，在電壓影響下發生自由電子導電，而p是加入硼替代硅，發生很多空穴利于導電。
      兩者除了電源極性不一樣外，其作業原理都是一樣的，下面僅介紹NPN硅管的電流擴大原理。關于NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所構成，發射區與基區之間構成的PN結稱為發射結,而集電區與基區構成的PN結稱為集電結,三條引線分別稱為發射極e （Emitter）、基極b (Base)和集電極c (Collector)。當b點電位高于e點電位零點幾伏時，發射結處于正偏狀況，而C點電位高于b點電位幾伏時，集電結處于反偏狀況，集電極電源Ec要高于基極電源Eb。
      在制作三極管時，有意識地使發射區的大都載流子濃度大于基區的，一起基區做得很薄，并且要嚴格控制雜質含量，這么一旦接通電源后，因為發射結正偏，發射區的大都載流子（電子）及基區的大都載流子（空穴）很容易地跳過發射結相互向對方分散，但因前者的濃度基大于后者，所以經過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發射極電流了。